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椭偏仪成为硅电池工艺优化的坚强后盾

发表时间:2017-08-12 浏览量:95
作为半导体科研事业的两大主角:光电器件与光伏电池的关系自是不一般。上节课说过,椭偏仪如今已是光电器件领域的小红人;那么接下来它与光伏电池的合作自然顺理成章。
今天我们就来唠唠椭偏仪与光伏电池间的那点事儿。
硅电池表层结构的分析
太阳能硅电池表面层肩负导电、增透两大关键任务,直接影响硅电池基本性能。通过准确提供硅电池表面层的结构、光学性质和电导率等信息,椭偏仪成为硅电池工艺优化的坚强后盾。
首先椭偏仪可以直接获取渐变层的厚度以及表面粗糙度信息,如粗糙层532埃、SnO2 6582埃、SiCxOy 256埃。
与此同时椭偏仪可以获取渐变层SnO2 顶部和底部的光学性质:
顶部和底部折射率及吸光系数随波长变化发生的改变:
利用这组数据,我们可以进一步解析出表面层的减反射性质、载子浓度和电导率等等信息。
如果你以为椭偏仪只能表征SnO2 层,未免太看轻它了。穿透顶层,测得底部非计量比SiCxOy层的光学性质,这更是椭偏仪的拿手好戏。混相有机电池组分的分析
提到光伏电池,怎么能错过新生代偶像有机太阳能电池呢?且看椭偏仪如何搞定这一傲娇小生——测定P3HT和PCBM多层混合薄膜的厚度和组分。
所谓知己知彼、百战百胜,椭偏仪的首要任务是表征这两种物质纯相时的光学常数,才能为混合薄膜的分析做出可靠的标定。
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